300В 4А 30А Импульс SMU блок P300B источник измерения для полупроводников и материалов

Benchtop Pulse SourceMeter P300B интегрирует гибридную технологию обработки сигнала, объединяя высокоточный аналоговый фронт-энд с интеллектуальным цифровым процессором.Его 5-дюймовый сенсорный экран служит как интуитивно понятным центром управления, так и порталом визуализации данных в режиме реального времени, позволяющий пользователям отслеживать ход и результаты испытаний через графический интерфейс. the P300B supports four-quadrant operation to simulate complex electrical scenarios—from forward driving and reverse braking to energy recovery—providing robust technical support for advanced applications in semiconductors, наноматериалов, органической электроники и печатной электроники.

Характеристики продукта

▪Сверхвысокая точность и стабильность:Достигает точности 0,03% (1μA1A тока, полный диапазон напряжения) и точности 0,1% для расширенных диапазонов (10nA, 100nA, 4A, 10A, 30A).Температурно-стабилизационные схемы и электромагнитные щиты минимизируют воздействие окружающей среды.

▪Умное сенсорное взаимодействие:5-дюймовый сенсорный экран с управлением жестами (зум, подвижка) и управляемыми рабочими процессами упрощает сложные настройки.

▪Полный охват:Измерения 1pA30A (импульсный режим), 1pA4A (постоянный режим) и 0?? 300V с автоматическим диапазоном для бесшовной адаптации к различным устройствам.

▪Точное управление импульсом:Минимальная ширина импульса 200 мкм с помощью DDS (директного цифрового синтеза) и алгоритмов обратной связи обеспечивает стабильную амплитуду, частоту и фазу для тестирования временного ответа.

▪Гибкость в четырех квадрантах:Симулирует реальные сценарии, такие как поглощение энергии и двунаправленный поток тока в электромобилях или энергосистемах.

▪Настраиваемые сканирования:Линейные/логорифмы, многосегментные последовательности и пользовательские параметры для специализированного тестирования.

▪Расширенная аналитика данных:Встроенное программное обеспечение генерирует I-V / P-V кривые, гистограммы и отчеты.

Параметры продукта

Заявления

▪Исследования и разработки полупроводников:Охарактеризовать резисторы, диоды, транзисторы и широкополосные полупроводники (SiC/GaN) в условиях высокого напряжения/высокой температуры.

▪Энергетические и энергетические системы:Испытать эффективность солнечных элементов, циклы зарядки/разрядки батареи и инверторов/конвертеров, привязанных к сети, на надежность.

▪Датчики:Проверка линейности датчика температуры/давления/газа, времени ответа и стабильности для промышленных/потребительских применений.

▪Продвинутые материалы:Анализировать проводимость графена/нанопровода, производительность органической электронной чернил и гибкую/носящуюся электронику.